代理TK17A80W,S4X現貨
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制造商: | Toshiba |
產品種類: | MOSFET |
RoHS: | 詳細信息 |
技術: | Si |
安裝風格: | Through Hole |
封裝 / 箱體: | TO-220-3 |
晶體管極性: | N-Channel |
通道數量: | 1 Channel |
Vds-漏源極擊穿電壓: | 800 V |
Id-連續漏極電流: | 17 A |
Rds On-漏源導通電阻: | 250 mOhms |
Vgs - 柵極-源極電壓: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th-柵源極閾值電壓: | 3 V |
Qg-柵極電荷: | 32 nC |
最小工作溫度: | - 55 C |
最大工作溫度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 45 W |
通道模式: | Enhancement |
商標名: | DTMOSIV |
封裝: | Tube |
商標: | Toshiba |
配置: | Single |
下降時間: | 7 ns |
高度: | 15 mm |
長度: | 10 mm |
產品類型: | MOSFET |
上升時間: | 24 ns |
系列: | TK17A80W |
工廠包裝數量: | 50 |
子類別: | MOSFETs |
晶體管類型: | 1 N-Channel |
典型關閉延遲時間: | 80 ns |
典型接通延遲時間: | 58 ns |
寬度: | 4.5 mm |
單位重量: | 2 g |
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