TK17A80W,S4X正品原裝供應
發布時間：2022/10/22 | 18 次閱讀
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| 制造商: | Toshiba |
| 產品種類: | MOSFET |
| RoHS: | 詳細信息 |
| 技術: | Si |
| 安裝風格: | Through Hole |
| 封裝 / 箱體: | TO-220-3 |
| 晶體管極性: | N-Channel |
| 通道數量: | 1 Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓: | 800 V |
| Id-連續漏極電流: | 17 A |
| Rds On-漏源導通電阻: | 250 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓: | 3 V |
| Qg-柵極電荷: | 32 nC |
| 最小工作溫度: | - 55 C |
| 最大工作溫度: | + 150 C |
| Pd-功率耗散: | 45 W |
| 通道模式: | Enhancement |
| 商標名: | DTMOSIV |
| 封裝: | Tube |
| 商標: | Toshiba |
| 配置: | Single |
| 下降時間: | 7 ns |
| 高度: | 15 mm |
| 長度: | 10 mm |
| 產品類型: | MOSFET |
| 上升時間: | 24 ns |
| 系列: | TK17A80W |
| 工廠包裝數量: | 50 |
| 子類別: | MOSFETs |
| 晶體管類型: | 1 N-Channel |
| 典型關閉延遲時間: | 80 ns |
| 典型接通延遲時間: | 58 ns |
| 寬度: | 4.5 mm |
| 單位重量: | 2 g |
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